[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明关半导体器件的制造方法，包含下述步骤：于第一半导体衬底上，形成含有导体层(7)及施体杂质或者受体杂质的第一半导体层(5a)的步骤；以覆盖第一半导体层(5a)的方式形成第二绝缘层(8)的步骤；将第一半导体衬底(9)的厚度薄化至预定厚度的步骤；从第一半导体衬底将具有柱状构造的柱状半导体(1a)形成于第一半导体层(5a)上的步骤；通过从第一半导体层(5a)使杂质扩散而于柱状半导体(1a)形成第一半导体区域(6a)的步骤；以及使用使杂质扩散后的柱状半导体(1a)，而将固态影像感测器件予以形成的步骤。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具备：将第一绝缘层形成于半导体衬底上的既定区域，并通过去除所述既定区域上的第一绝缘层从而形成绝缘层去除区域的第一绝缘层形成／去除步骤，或于所述既定区域的周边朝厚度方向去除所述半导体衬底的一部份，而于去除该半导体衬底的半导体衬底去除区域形成第一绝缘层的第二绝缘层形成／去除步骤；第一半导体层形成步骤，以至少覆盖所述既定区域的方式，于所述半导体衬底上形成包含施体杂质或受体杂质的第一半导体层；导体层形成步骤，于所述第一半导体层上形成导体层；成形步骤，将所述导体层以及所述第一半导体层成形为既定形状；第二绝缘层形成步骤，以覆盖形成为所述既定形状的导体层以及第一半导体层的方式，形成第二绝缘层；平坦化步骤，将所述第二绝缘层的表面予以平坦化；接着步骤，于所述经平坦化的所述第二绝缘层的表面接着衬底；薄膜化步骤，将所述半导体衬底薄化至既定的厚度；柱状半导体形成步骤，于所述第一半导体层上，自所述半导体衬底形成具有柱状构造的柱状半导体；以及电路组件形成步骤，于所述柱状半导体形成所述电路组件；且，还具备：第一半导体区域形成步骤，至少于所述第一半导体层形成步骤后，自包含所述施体杂质或受体杂质的所述第一半导体层使该杂质扩散，从而于所述柱状半导体形成第一半导体区域。