[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280001036.0 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN102959711A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 空田晴之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置(100)具备：配置于基板(1)的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层(2)、配置于半导体层(2)且具有底面及侧面的沟槽(5)、配置于沟槽(5)的底面及侧面上的绝缘区域(11)、以及配置于沟槽(5)内且通过绝缘区域(11)而与半导体层(2)绝缘的导电层(7)，绝缘区域(11)包括：配置于沟槽(5)的底面及侧面上的栅极绝缘膜(6)；和在沟槽(5)的底部配置于栅极绝缘膜(6)与导电层(7)之间的空隙(10)，栅极绝缘膜(6)在沟槽(5)侧面的一部分上与导电层(7)相接、而在沟槽(5)底面上与导电层(7)并不相接，从沟槽(5)的底面到导电层(7)的下表面为止的绝缘区域(11)的厚度，在沟槽的中央部要比沟槽的所述侧面附近大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：基板；配置于所述基板的主面上且由宽带隙半导体构成的半导体层；配置于所述半导体层且具有底面及侧面的沟槽；配置于所述沟槽的所述底面及所述侧面上的绝缘区域；以及配置于所述沟槽内且通过所述绝缘区域而与所述半导体层绝缘的导电层，所述绝缘区域包括：配置于所述沟槽的所述底面及所述侧面上的栅极绝缘膜；和在所述沟槽的底部配置于所述栅极绝缘膜与所述导电层之间的空隙，所述栅极绝缘膜，在所述沟槽的所述侧面的一部分上与所述导电层相接，而在所述沟槽的所述底面上与所述导电层并不相接，从所述沟槽的所述底面到所述导电层的下表面为止的所述绝缘区域的厚度，在所述沟槽的中央部要比所述沟槽的所述侧面附近大。
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