[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置及其驱动方法

摘要

提供一种能够稳定动作的可靠性高的电阻变化型非易失性存储装置以及电阻变化型非易失性存储装置的驱动方法。电阻变化型非易失性存储装置（200）具备存储单元阵列（202）、存储单元选择电路（203、204）、写入电路（205）和读取电路（206），读取电路（206），若在所选择的存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选择的存储单元是具有短路故障的故障存储单元，写入电路（205），对在与故障存储单元相同的位线上及字线上的至少某个上配置的故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将其它存储单元的电阻变化元件设置为表示出第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值的第2高电阻状态。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储装置，具备：存储单元阵列，具有由电阻变化元件和电流控制元件构成的多个存储单元，在多个字线与多个位线之间的各个立体交叉点上，配置上述多个存储单元的1个，上述电阻变化元件的电阻值根据所施加的电压脉冲而可逆地转变，上述电流控制元件与上述电阻变化元件串联连接，且当施加电压超过规定的阈值电压时流过被视为导通状态的电流；存储单元选择电路，从上述多个字线中选择至少1个，并从上述多个位线中选择至少1个，由此从上述存储单元阵列中选择至少1个以上的上述存储单元；写入电路，通过向所选出的上述存储单元施加电压脉冲，改写所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻值；以及读取电路，以向所选出的上述存储单元的上述电流控制元件施加比上述阈值电压高的第1电压或上述阈值电压以下的第2电压的方式，向所选出的上述存储单元施加电压，从而读取所选出的上述存储单元的状态，上述写入电路，将第1低电阻化脉冲或第1高电阻化脉冲作为上述电压脉冲向所选出的上述存储单元施加，从而将上述多个存储单元中的所选出的存储单元的上述电阻变化元件分别设置为第1低电阻状态或第1高电阻状态，上述读取电路，向所选出的上述存储单元施加上述第1电压而读取所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻状态，上述读取电路，在读取所选出的上述存储单元的上述电阻变化元件的电阻状态时，若在所选出的上述存储单元中流过规定值以上的电流，则判定为所选出的上述存储单元为具有短路故障的故障存储单元，上述写入电路，对在与上述故障存储单元相同的位线上以及与上述故障存储单元相同的字线上的至少某个上配置的上述故障存储单元以外的其它存储单元施加第2高电阻化脉冲，以使得将上述其它存储单元的电阻变化元件设置为第2高电阻状态，该第2高电阻状态表示出上述第1高电阻状态的电阻值以上的电阻值。