[发明专利]半导体集成电路装置无效
| 申请号： | 201280001520.3 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102918643A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 池上智朗;西村英敏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路装置。相对于连接第1供电用金属布线(MV1)与设置于其上层的第2供电用金属布线(NV1)的供电用插塞(QV1)而言，在其附近设置有连接第1电路用金属布线(M4)与设置于其上层的第2电路用金属布线(N4)的布线插塞(Q4)。而且，供电用插塞(QV1)与布线用插塞(Q4)被配置为在第1供电用金属布线(MV1)延伸的方向上相对地错开位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，其包含标准逻辑单元，该半导体集成电路装置具备：第1供电用金属布线，其形成于第1布线层且沿第1方向延伸；第2供电用金属布线，其形成于所述第1布线层的上层的第2布线层且按照与所述第1供电用金属布线重叠的方式沿所述第1方向延伸；第1电路用金属布线，其在所述标准逻辑单元内形成于所述第1布线层；第2电路用金属布线，其在所述标准逻辑单元内形成于所述第2布线层，且按照与所述第1电路用金属布线重叠的方式沿所述第1方向延伸；供电用插塞，其连接所述第1供电用金属布线与所述第2供电用金属布线；以及布线用插塞，其连接所述第1电路用金属布线与所述第2电路用金属布线，所述第2电路用金属布线被配置为：在所述标准逻辑单元内，比形成于所述第2布线层的其他任意的电路用金属布线更靠近所述第2供电用金属布线，且在与所述第1方向垂直的第2方向进行观察时与所述第2供电用金属布线具有重合，所述供电用插塞与所述布线用插塞在所述第1方向上被配置于不同的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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