[发明专利]沟槽栅极功率半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280001820.1 | 申请日： | 2012-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103250254A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 渡辺祐司;岸雅人;佐藤広輝;竹森俊之;丸岡道明 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的沟槽栅极功率半导体装置100，具有：n-型漂移层114；p型体层120；沟124；n+型源极区域132；形成在沟124的内周面的栅绝缘膜126；形成在栅绝缘膜126的内周面的栅电极膜128；与栅电极膜128绝缘，同时与源极区域132相接形成的源极电极层136，其中，漂移层114的在邻接的沟124之间的区域，设有比沟124更深的、延伸存在的p型埋入区域140，其与体层120相接，埋入区域140的p型杂质显示最大浓度的深度位置，比位于体层120底面P2和埋入区域140底面P3中间的深度位置更深。本发明的沟槽栅极功率半导体装置100，在具有较高的逆向耐压的同时，可以进一步降低导通阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 功率 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅极功率半导体装置，其特征在于：具有：第1导电型的漂移层；位于所述漂移层上，与所述第1导电型相反的第2导电型的体层；将所述体层开口，达到所述漂移层而形成的沟；被配置在所述体层内，同时使至少一部分在所述沟的内周面露出而形成的第1导电型的第1半导体区域；形成在所述沟的内周面的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜的内周面的栅电极膜；与所述栅电极膜绝缘，同时与所述第1半导体区域相接形成的第1电极层，其中，所述漂移层的在邻接的所述沟之间的区域，设有比所述沟更深的、延伸存在的第2导电型的埋入区域，被形成为与所述体层相接，所述埋入区域中第2导电型杂质显示为最大浓度的深度位置，位于比所述体层的底面与所述埋入区域的底面的中间的深度位置更深的位置。
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