[发明专利]生长高铝组分氮基化合物半导体的气体分配装置及其生长方法

摘要

一种用于生长高铝组分氮基化合物半导体的气体分配装置包括入口端、第一气体分配装置、第二气体分配装置、第三气体分配装置、出口端和冷却系统。所述第一气体分配装置由所述冷却系统加以冷却，通过所述的气体分配装置，可以在出口端形成非均匀的气体环境，减少不同种类气体之间的混合，从而减少不同气体之间的预反应。同时，本发明还揭示了一种高铝组分氮基化合物半导体的生长方法。

主权项

一种生长高铝组分氮基化合物半导体的气体分配装置，包括：入口端、出口端、第一气体分配装置、第二气体分配装置和第三气体分配装置；所述入口端包括多个气体入口，所述的多个气体入口中至少有一个气体入口与金属有机源相连，至少一个气体入口与氨气源相连和至少一个气体入口与吹扫气体源相连；所述出口端有多个气体分配单元，所述气体分配单元中有多个用于分配金属有机源的金属有机源分配单元和多个用于分配氨气的氨气分配单元，每一所述金属有机源分配单元和每一所述氨气分配单元互相间隔分布的；所述第一气体分配装置包括连接所述入口端的气体连接管路，所述气体连接管路将所述金属有机源和所述氨气分隔开，并将它们分别由所述入口端输运至所述金属有机源分配单元和氨气分配单元；所述第二气体分配装置与所述出口端相连，每一个所述第二气体分配装置包括多个气体出口和气体连接管路，所述气体连接管路将反应物气体从所述的金属有机源分配单元和氨气分配单元导出到气体出口，所述气体出口将所述反应物气体垂直地导出到所述出口端；所述第三气体分配装置包括气体源之间切换的进口、气体连接管路和气体引出喷头，所述气体源之间切换的进口在金属有机源、氨气源和吹扫气体源之间切换，所述第三气体分配装置的气体引出喷头位于所述金属有机源分配单元和所述氨气分配单元之间并突伸出所述出口端，所述气体引出喷头将气体从喷头水平引导至所述的出口端；所述气体分配装置和外延衬底的间距可调节，用以控制外延膜中的Al含量。