[发明专利]自对准金属氧化物薄膜晶体管器件及制造方法有效
| 申请号： | 201280001858.9 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN104040683A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 魏鹏;余晓军;刘自鸿 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/088 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种自对准金属氧化物TFT器件的制造方法，包括：选取基板(11)，在基板(11)上制备栅极(12)；在栅极(12)上依次设置绝缘层(13)、透明电极层(14)及光刻胶(15)；以栅极(12)为掩膜，自基板(11)背部曝光，形成与栅极(12)对准的源漏极(141、142)；在透明电极层(14)上沉积金属氧化物半导体层(17)；刻蚀半导体层(17)及源漏极(141、142)，使源漏极(141、142)的外端露于金属氧化物半导体层之外；沉积钝化层(18)，并将源漏极(141、142)引出。采用透明导体作为电极层，并以底栅为掩膜进行背部曝光刻蚀源漏电极，实现源漏极与栅极自对准，有效减弱了寄生电容，提高了器件性能。该器件为底栅、底接触结构，无需制作刻蚀阻挡层，简化了工艺，减少了光刻掩膜的使用，提高了效率，并改善了器件的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属 氧化物 薄膜晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市柔宇科技有限公司，未经深圳市柔宇科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280001858.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：噪音发电装置
- 下一篇：基于个人生物特征的终端屏幕图像显示方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
