[发明专利]密封型半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201280001873.3 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102986025A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 南尾匡纪;笹冈达雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种密封型半导体装置及其制造方法。该密封型半导体装置具备第1导电路径形成板(1)、与第1导电路径形成板接合的第2导电路径形成板(5)、与第1导电路径形成板粘接的功率元件(12)、隔着绝缘性散热片(13)被保持于第1导电路径形成板的散热板(14)、和对第1导电路径形成板及第2导电路径形成板进行密封的密封树脂体(9)。在第1导电路径形成板的与绝缘性散热片接触的区域中形成了贯通孔(3)或引线的间隙(1b)。在贯通孔或引线的间隙中压入了绝缘性散热片。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种密封型半导体装置，具备：第1导电路径形成板；与所述第1导电路径形成板接合的第2导电路径形成板；与所述第1导电路径形成板粘接的半导体元件；隔着绝缘片被保持于所述第1导电路径形成板的散热板；和对所述第1导电路径形成板及所述第2导电路径形成板进行密封的密封树脂体，在所述第1导电路径形成板的与所述绝缘片接触的区域中形成了贯通孔或引线的间隙，在所述贯通孔或所述引线的间隙中压入所述绝缘片。
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