[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法

摘要

本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有：基于第一电极（1），对第二电极（2）施加负第一电压，而使电阻变化层（3）成为低电阻状态的步骤（S11）；以及使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）。其中，使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S12）具有：基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压的步骤（S121）；在基于第一电极（1）对第二电极（2）施加正的第二电压步骤（S121）之后，通过基于第一电极（1），对第二电极施加使电阻变化层（3）从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使电阻变化层（3）成为高电阻状态的步骤（S122）。

主权项

一种电阻变化型非易失性存储元件的写入方法，是针对电阻变化型非易失性存储元件的数据写入方法，该电阻变化型非易失性存储元件具有：第一电极、第二电极、以及电阻变化层，其中，该电阻变化层介于所述第一电极以及所述第二电极之间，与所述第一电极和第二电极相接，根据在所述第一电极及所述第二电极之间施加电信号，能够在高电阻状态和低电阻状态这两个电阻状态可逆地变化，所述电阻变化层由第一金属氧化物和第二金属氧化物的层叠结构所构成，其中，所述第一金属氧化物是由与所述第一电极相接的第一金属构成，所述第二金属氧化物是由与所述第二电极相接的的第二金属构成，所述写入方法具有以下步骤：通过以所述第一电极为基准对所述第二电极施加负的第一电压，从而使所述电阻变化层成为示出电阻值RL的所述低电阻状态的步骤；以及使所述电阻变化层成为所述高电阻状态的步骤，其中，使所述电阻变化层成为所述高电阻状态的步骤具有：以所述第一电极为基准，对所述第二电极施加正的第二电压，而使所述电阻变化层的电阻值成为比所述电阻值RL大的电阻值RH的步骤；以及在由成为比所述电阻值RL大的电阻值RH的步骤所施加所述正的第二电压之后，通过以所述第一电极为基准，对所述第二电极施加比使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化的阈值电压的绝对值小的负的第三电压，从而使所述电阻变化层成为示出所述电阻值RH以上的电阻值RH1的高电阻状态的步骤。