[发明专利]非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储元件

摘要

包括：在基板上形成第1导电膜（105’）的工序（c）；在第1导电膜（105’）上，形成第1金属氧化物层（106x”）、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层（106y”）、以及第2导电膜（107’）的工序（d、e）；通过对第2导电膜（107’）进行构图来形成第2电极（107）的工序（f）；通过对第1金属氧化物层（106x”）和第2金属氧化物层（106y”）进行构图来形成电阻变化层（106）的工序（g）；将电阻变化层（106）的侧部蚀刻至在与基板的主面平行的面内比第2电极（107）的轮廓更向内侧进入的位置的工序（h）；以及在将电阻变化层（106）的侧部除去的工序之后，或者在与该工序的同一工序中，通过对第1导电膜（105’）进行构图来形成第1电极（105）的工序（i）。

主权项

一种非易失性存储元件的制造方法，包括：在基板上形成第1电极层的工序；在所述第1电极层上，形成由第1金属氧化物层以及缺氧度与所述第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层的至少2层构成的金属氧化物层的工序；在所述金属氧化物层上形成第2电极层的工序；通过对所述第2电极层进行构图，来形成第2电极的工序；通过对所述第1金属氧化物层和所述第2金属氧化物层进行构图，形成由第1电阻变化层以及缺氧度与所述第1电阻变化层不同的第2电阻变化层的至少2层构成的电阻变化层的工序；将所述电阻变化层的侧部除去至在与所述基板的主面平行的面内比所述第2电极的轮廓更向内侧进入的位置的工序；以及在将所述电阻变化层的侧部除去的工序之后、或者在与该工序相同的工序中，通过对所述第1电极层进行构图，来形成第1电极的工序。