[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法

摘要

本发明的非易失性存储元件的制造方法包括如下工序：形成第一下部电极层（108）、电流控制层（109）和第一上部电极层（110），并在第一上部电极层（110）上形成第二下部电极层（311）、电阻变化层（112）及第二上部电极层（313）的工序；对第二上部电极层（313）、电阻变化层（112）和第二下部电极层（311）进行图案形成的工序；使用蚀刻第二下部电极层（311）的速度至少比第二上部电极层（313）及电阻变化层（112）慢的蚀刻，将第二下部电极层（311）作为掩膜，对第一上部电极层（110）、电流控制层（109）和第一下部电极层（108）进行图案形成来形成电流控制元件（142），并形成具有比电流控制元件（142）小的面积的电阻变化元件的工序。

主权项

一种非易失性存储元件的制造方法，是具有电流控制元件和电阻变化元件的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在衬底上形成第一下部电极层的工序；在所述第一下部电极层上形成电流控制层的工序；在所述电流控制层上形成第一上部电极层的工序；在所述第一上部电极层上形成第二下部电极层的工序；在所述第二下部电极层上形成由金属氧化物构成的电阻变化层的工序；在所述电阻变化层上形成第二上部电极层的工序；在所述第二上部电极层上形成掩膜，并对所述第二上部电极层、所述电阻变化层和所述第二下部电极层进行图案形成的工序；以及使用所述第二下部电极层的蚀刻速度至少比所述第二上部电极层及所述电阻变化层的蚀刻速度慢的蚀刻，对比所述第二下部电极层靠下方的层进行图案形成，由此，形成由所述第一上部电极层、所述电流控制层和所述第一上部电极层构成的所述电流控制元件，并且使从与所述衬底的主面垂直的方向观察时的所述第二上部电极层和所述电阻变化层的面积减少而使所述第二下部电极层的上表面的一部分露出，形成由所述第二上部电极层、所述电阻变化层和所述第二下部电极层构成的所述电阻变化元件的工序。