[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 201280002076.7 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103003962A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;横川俊哉;山田笃志;藤金正树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其特征在于：所述氮化物半导体发光元件具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构，所述层叠结构具有与所述活性层的m面平行的第一取光面；和与所述活性层的c面平行的多个第二取光面，所述第二取光面的面积相对于所述第一取光面的面积的比例为46％以下。
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