[发明专利]具有芯片连接部分的冗余救济结构的三维集成电路有效
申请号: | 201280002155.8 | 申请日: | 2012-01-11 |
公开(公告)号: | CN103026484A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 森本高志;桥本隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/822;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/00;H01L27/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种三维集成电路。芯片重叠于再布线构件上。接合构件和冗余接合构件形成于芯片上,并对芯片和再布线构件之间进行电连接。在芯片和再布线部件分别形成有冗余救济电路,在连接部件之一产生缺陷的情况下,使冗余接合构件之一代替包含缺陷的接合构件而在芯片和在布线构件之间传递信号。在再布线构件和芯片之间的间隔比规定阈值大的区域比其他的区域,在多个接合构件中通过冗余救济电路能够以冗余接合构件进行代替的接合构件的比例高。 | ||
搜索关键词: | 具有 芯片 连接 部分 冗余 救济 结构 三维集成电路 | ||
【主权项】:
一种三维集成电路,具有:板状的再布线构件;芯片,被重叠于所述再布线构件上;多个接合构件和多个冗余接合构件,形成于所述芯片,且对所述再布线构件和所述芯片之间进行电连接;以及冗余救济电路,分别形成于所述再布线构件和所述芯片,在所述多个接合构件之一产生了缺陷的情况下,使所述多个冗余接合构件之一代替包含缺陷的接合构件而在所述再布线构件和所述芯片之间传达信号,在所述再布线构件与所述芯片之间的间隔比规定的阈值大的区域比其他的区域,在所述多个接合构件中,通过所述冗余救济电路能够以所述多个冗余接合构件之一代替的接合构件的比例高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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