[发明专利]用于永久接合晶片的方法和装置以及切削工具有效
| 申请号： | 201280002216.0 | 申请日： | 2012-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103328147B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | K.马廷希茨;M.温普林格;B.雷布汉 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | B23K20/22 | 分类号： | B23K20/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于将由第一材料制成的第一固体基底（1）的第一接合表面（1o）与由第二材料制成的第二固体基底（2）的第二接合表面（2o）接合的方法，具有以下步骤，特别是以下流程：利用切削工具（5）在低于临界速度vk的速度vs以及在高于临界温度Tk的温度Ts下对该第一和/或第二接合表面（1o，2o）进行加工，直到表面粗糙度O小于1μm，使所述第一固体基底（1）和第二固体基底（2）在所述接合表面（1o，2o）上相接触，以及对接触后的固体基底（1，2）施加温度，以利用高于再结晶温度的接合温度TB在所述接合表面（1o，2o）上构造至少主要是通过再结晶引起的、分别直至再结晶深度R的永久接合，所述再结晶深度R大于所述接合表面（1o，2o）的表面粗糙度O。本发明还涉及一种对应的装置和一种切削工具（5），所述切削工具用于在低于临界速度vk的速度vs以及在高于临界温度Tk的温度Ts下对第一和/或第二接合表面进行加工，直至粗糙度O小于1μm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 永久 接合 晶片 方法 装置 以及 切削 工具 | ||
【主权项】：
用于将由第一材料制成的第一固体基底（1）的第一接合表面（1o）与由第二材料制成的第二固体基底（2）的第二接合表面（2o）接合的方法，其特征在于，所述方法具有以下的流程：‑利用切削工具（5）对该第一和/或第二接合表面（1o，2o）进行加工，用于至少在接近表面的区域中产生亚稳结构以及用于产生减小的表面粗糙度，该表面粗糙度小于100nm，‑使所述第一固体基底（1）和第二固体基底（2）在所述接合表面（1o，2o）上相接触，以及‑对接触后的固体基底（1，2）施加温度，以利用高于再结晶温度的接合温度TB在所述接合表面（1o，2o）上构造至少主要是通过再结晶引起的、分别直至再结晶深度R的永久接合，所述再结晶深度R大于所述接合表面（1o，2o）的表面粗糙度O。
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