[发明专利]QFN封装的晶圆级处理技术有效
| 申请号： | 201280002459.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103650133B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | V·卡恩德卡尔;K·坦比杜赖;A·阿什拉夫扎德;A·科尔卡;H·D·阮 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐;蔡胜利 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了例如晶圆级封装半导体器件的半导体封装器件，其具有用于提供电气的相互连接性的柱。在实施方式中，晶圆级封装器件包括集成电路芯片，其具有至少一个形成于集成电路芯片上的柱。柱配置成提供与集成电路芯片电气的相互连接性。晶圆级封装器件还包括配置成支撑该柱的包装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路芯片 晶圆级封装器件 连接性 半导体封装器件 半导体器件 晶圆级封装 包装结构 晶圆级 配置 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的过程，包括：在半导体晶圆上应用第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上应用第二光刻胶层；在所述半导体晶圆上形成至少一个柱，所述至少一个柱包括多个柱，该多个柱中的第一柱延伸穿过所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层，并且该多个柱中的第二柱仅延伸穿过所述第一光刻胶层；在所述半导体晶圆上形成包装结构，所述包装结构至少包装所述至少一个柱；以及将焊料层应用于所述至少一个柱。
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