[发明专利]制造GaN基半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201280002986.5 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103140946A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 松原秀树;石原邦亮 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于GaN基半导体器件（5）的制造方法包括以下步骤：使用离子注入分离方法制备复合衬底（1），其包括：支撑衬底（10），其具有相对于GaN的热膨胀系数的比率不小于0.8且不大于1.2的热膨胀系数；和GaN层（21），其结合到支撑衬底（10）；在复合衬底（1）中的GaN层（21）上，生长至少单层GaN基半导体层（40）；以及通过溶解支撑衬底（10）去除复合衬底（1）的支撑衬底（10）。因此，提供了一种用于GaN基半导体器件的制造方法，其使得能够以高良率制造具有优良特性的GaN基半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 gan 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造GaN基半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：使用离子注入分离方法制备复合衬底（1），所述复合衬底（1）包括：支撑衬底（10），所述支撑衬底（10）具有相对于GaN的热膨胀系数的比率不小于0.8且不大于1.2的热膨胀系数；和GaN层（21），所述GaN层（21）结合到所述支撑衬底（10）；在所述复合衬底（1）的所述GaN层（21）上，生长至少一个GaN基半导体层（40）；以及通过溶解所述支撑衬底（10），去除所述复合衬底（1）的所述支撑衬底（10）。
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