[发明专利]NbON膜及NbON膜的制造方法、以及氢生成设备及具备它的能量系统有效
| 申请号： | 201280003145.6 | 申请日： | 2012-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103153868A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 野村幸生;铃木孝浩;宫田伸弘;羽藤一仁 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C01G33/00 | 分类号： | C01G33/00;B01J27/24;B01J35/02;B01J37/02;B01J37/10;C01B3/04;H01M8/06;C23C16/40;H01M8/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的NbON膜是利用光照射产生光电流的NbON膜。本发明的NbON膜优选为单相膜。本发明的氢生成设备(600)具备：包含导电体(621)和配置于所述导电体(621)上的所述本发明的NbON膜(622)的光半导体电极(620)；与所述导电体(621)电连接的对电极(630)；与所述NbON膜(622)及所述对电极(630)的表面接触的包含水的电解液(640)；以及收容所述光半导体电极(620)、所述对电极(630)及所述电解液(640)的容器(610)，通过向所述NbON膜(622)照射光而产生氢。 | ||
| 搜索关键词： | nbon 制造 方法 以及 生成 设备 具备 能量 系统 | ||
【主权项】：
一种NbON膜，其特征在于，利用光照射产生光电流。
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