[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280003273.0 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN103384910B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 中泽治雄;荻野正明;栗林秀直;寺西秀明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/22;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用从单晶硅锭切割的硅晶片来制造反向阻断IGBT，该硅晶片使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成。通过使用热扩散工艺扩散注入硅晶片的杂质来形成用于确保反向阻断IGBT的反向阻断性能的分离层。用于形成分离层的热扩散工艺在惰性气体气氛中在高于或等于1290°C且低于硅的熔点的温度下进行。以此方式，在硅晶片中不发生晶体缺陷，并且可防止反向阻断IGBT中反向击穿电压缺陷或者正向缺陷的发生，且由此提高半导体元件的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在氩气和氧气的混合气体气氛中在高于或等于1290℃且低于硅的熔点的温度下对使用通过切克劳斯基法制成的单晶硅锭作为原材料且以浮动法制成的硅晶片进行热处理，还包括：使用所述热处理将第二导电型扩散层从所述硅晶片的一个主表面扩散到另一主表面的扩散步骤，所述第二导电型扩散层与作为反向阻断绝缘栅双极晶体管的第一导电型漂移层的所述硅晶片形成pn结，其中在所述扩散步骤中，所述第二导电型扩散层扩散以到达在所述扩散步骤之前或之后在所述硅晶片的另一主表面中形成的第二导电型集电极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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