[发明专利]硅基板的洗净方法和太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201280003421.9 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103189966A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 西本阳一郎;安永望;松田高好 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304;H01L31/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 包括：用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面，在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序；用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔，在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序；用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序；和用含有臭氧的水处理采用上述碱药液蚀刻的硅基板，在形成于该硅基板的上述孔的内部产生气泡，将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基板 洗净 方法 太阳能电池 制造 | ||
【主权项】：
硅基板的洗净方法，其特征在于，包括：采用含有金属离子的、氧化剂和氢氟酸的混合水溶液蚀刻硅基板的表面，在上述硅基板的表面形成多孔层的第1工序；采用以氢氟酸和硝酸为主的混酸蚀刻上述多孔层的孔，在上述硅基板的表面形成纹理的第2工序；采用碱药液蚀刻形成了上述纹理的硅基板的表面的第3工序；和用含有臭氧的水对采用上述碱药液蚀刻的硅基板进行处理，在该硅基板形成的上述孔的内部产生气泡，将上述孔的内部的金属和有机物的杂质除去的第4工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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