[发明专利]半导体陶瓷及其制造方法、以及带变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法

摘要

半导体陶瓷的主成分由SrTiO₃系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中。受主元素中的4价的受主元素的个数为1×10¹⁷个/g以上。该受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。在混合粘合剂前将预烧粉末和受主化合物的混合物混合粉碎至比表面积成为5.0～7.5m²/g。具有变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷层（1a～1g）使用该半导体陶瓷来形成。由此抑制了在产品间的特性偏差，实现了能稳定得到良好的电气特性的可靠性优越的层叠型半导体陶瓷电容器。

主权项

一种半导体陶瓷，主成分由SrTiO₃系化合物形成，并且施主元素固溶于结晶粒子中，且受主元素存在于晶界层中，是SrTiO₃系晶界绝缘型的半导体陶瓷，其特征在于，所述受主元素中的4价的受主元素的个数为1×10¹⁷个/g以上，所述4价的受主元素的个数根据电子自旋共振吸收谱来算出。