[发明专利]具有平坦化尖端的化学机械研磨垫修整器及其相关方法有效
| 申请号： | 201280003831.3 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103329253A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有平坦化尖端的化学机械研磨垫修整器及其相关方法。在本发明的一方面中，例如，一种化学机械研磨垫修整器可包括：一基质层；以及一单层超研磨颗粒，为多个嵌入该基质层的超研磨颗粒，其中每个超研磨颗粒突出于该基质层。该单层超研磨颗粒的最高突出尖端与次高突出尖端的突出距离差异小于或等于约20微米，且在单层超研磨颗粒的最高1％突出尖端间的突出距离差异为约80微米或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平坦 尖端 化学 机械 研磨 修整 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨垫修整器，其特征在于，包括：一基质层；以及一单层超研磨颗粒，为多个嵌入该基质层的超研磨颗粒，其中每一超研磨颗粒突出于该基质层，且该单层超研磨颗粒的最高突出尖端与第2个最高突出尖端的突出距离差异小于或等于约20微米，且在单层超研磨颗粒的最高1％突出尖端间的突出距离差异为约80微米或更小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
