[发明专利]非易失性半导体存储装置及其写入方法

摘要

具备多条字线（2）、多条位线（3）、由通过存储单元（4）与偏置电流检测单元（5）构成的单元的集合体所构成的交叉点单元阵列（1）、字线选择电路（10）、位线选择电路（11）、写入控制电路（22）、以及检测电流并变换为电信号的电流读出电路（21），写入控制电路（22）调节写入用的电信号，以使高于第1写入电流的第2写入电流流经存储单元（4）。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，包括：多条字线，在第1平面内相互平行地形成；多条位线，以在与所述第1平面平行的第2平面内相互平行地且与所述多条字线立体交叉的方式形成；交叉点单元阵列，由针对所述多条字线与所述多条位线的各个立体交叉点设置的单元的集合体构成；字线选择电路，从所述多条字线中选择特定的字线；位线选择电路，从所述多条位线中选择特定的位线；写入控制电路，经由所述字线选择电路连接于所述字线，或者经由所述位线选择电路连接于所述位线，用于对由所述字线选择电路选择的字线或者由所述位线选择电路选择的位线输出写入用的电信号；以及电流读出电路，经由所述位线选择电路连接于所述位线，或者经由所述字线选择电路连接于所述字线，检测流经由所述位线选择电路选择的位线或者由所述字线选择电路选择的字线的电流，并变换为与所述电流的大小相应的电信号；在所述单元的集合体中，包括：存储单元，包括进行存储动作的存储元件，该存储动作是：基于所对应的字线与所对应的位线之间被施加的电信号，电阻值在两个以上的状态中可逆地变化；以及偏置电流检测单元，与所对应的字线与所对应的位线之间被施加的电信号无关，具有高于所述存储元件进行所述存储动作时的高电阻状态下的所述存储元件的电阻值的电阻值；将向与所述存储单元连接的所述字线以及所述位线之间施加具有规定的极性与振幅的第1电压从而在所述存储单元中写入规定的数据时流经的电流设为第1写入电流，且将向与所述偏置电流检测单元连接的所述字线以及所述位线之间施加所述第1电压时流经的电流设为潜行电流时，所述写入控制电路调节所述写入用的电信号，以使高于所述第1写入电流的第2写入电流流经所述存储单元。