[发明专利]微波等离子体生成装置和采用该装置的磁控溅射成膜装置有效

专利信息
申请号: 201280004136.9 申请日: 2012-04-25
公开(公告)号: CN103262663A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 笹井建典;丰田浩孝 申请(专利权)人: 东海橡塑工业株式会社;国立大学法人名古屋大学
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;C23C14/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 微波等离子体生成装置(4)包括:矩形波导管(41),其用于传送微波;缝隙天线(42),其具有供该微波通过的缝隙(420);电介质部(43),其以覆盖缝隙(420)的方式配置,等离子体生成区域侧的表面与从缝隙(420)入射的该微波的入射方向平行。微波等离子体生成装置(4)在1Pa以下的低压条件下能够生成微波等离子体(P1)。磁控溅射成膜装置(1)包括微波等离子体生成装置(4),向基材(20)与靶材(30)之间照射微波等离子体(P1)的同时利用磁控管等离子体(P2)进行成膜。采用磁控溅射成膜装置(1),能够形成表面的凹凸较小的薄膜。
搜索关键词: 微波 等离子体 生成 装置 采用 磁控溅射
【主权项】:
一种微波等离子体生成装置,其用于在真空容器内生成微波等离子体,其特征在于,包括:矩形波导管,其用于传送微波;缝隙天线,其配置在该矩形波导管的一个面,具有供该微波通过的缝隙;电介质部,其以覆盖该缝隙天线的该缝隙的方式配置,等离子体生成区域侧的表面与从该缝隙入射的该微波的入射方向平行。
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