[发明专利]在碳化硅中具有改进的击穿电压的双极结晶体管

摘要

提供了针对碳化硅（SiC）双极结晶体管（BJT）的新设计和生产这种SiC BJT的新方法。所述SiC BJT含有集电区（220），基极区（240）和发射区（260）。另外，表面钝化层沉积于用于接触所述发射区的发射极接触点和用于接触所述基极区的基极接触点之间。所沉积的表面钝化层促使在所述基极区的非本征部分内的表面钝化层之下形成耗尽区。另外，所述SiC BJT在所沉积的表面钝化层处包括栅极排布的表面。所述表面栅极构造成相对于所述基极区中的电位向所沉积的表面钝化层施加负电位。本发明是有利的，因为其提供了改进阻塞容量的SiC BJTs。

主权项

一种碳化硅，SiC，双极结晶体管，BJT，（200），包括集电区（220）、基极区（240）和发射区（260），其中表面钝化层（270）沉积于用于接触所述发射区的发射极接触点（261）和用于接触所述基极区的基极接触点（241）之间，所述表面钝化层在所述基极区的非本征部分内的所述表面钝化层之下促使耗尽区的形成，所述SiC BJT进一步包括排布于所沉积的表面钝化层处的表面栅极（280）并构造成相对于所述基极区内的电位向所沉积的表面钝化层施加负电位。