[发明专利]用于在衬底中形成孔径的装置和方法有效
| 申请号： | 201280004581.5 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN103348450A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 安迪·E·虎柏 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;程美琼 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底中形成孔径的方法包括用激光束照射所述衬底以在所述衬底内形成激光加工特征件并具有侧壁。用蚀刻剂蚀刻所述侧壁以改变所述激光加工特征件的至少一个特性。所述蚀刻可包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧和所述第二侧引入所述激光加工特征件。还公开了一种用于形成孔径的装置和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 形成 孔径 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底内形成孔径的方法，所述方法包括：提供具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的衬底；使用激光束照射所述衬底以在所述衬底内形成激光加工特征件，所述激光加工特征件具有侧壁；以及使用蚀刻剂蚀刻所述侧壁以改变所述激光加工特征件的至少一个特性，其中所述蚀刻包括将所述蚀刻剂从所述衬底的所述第一侧和所述第二侧引入所述激光加工特征件中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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