[发明专利]制备二有机二卤代硅烷的方法无效
| 申请号： | 201280005203.9 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103298821A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·E·安德森;阿斯维尼·K·达什;查尔斯·艾伦·霍尔;D·卡佐利斯;J·D·瓦恩兰 | 申请（专利权）人： | 道康宁公司 |
| 主分类号： | C07F7/16 | 分类号： | C07F7/16 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 高瑜;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300-1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；以及(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250-700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1-C10烃基并且X为卤素。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 有机 二卤代 硅烷 方法 | ||
【主权项】：
一种制备二有机二卤代硅烷的方法，所述方法包括以下单独且连续的步骤：(i)使用包含氢气和四卤化硅的混合物在300‑1400℃的温度下处理预先形成的金属硅化物，以形成处理过的金属硅化物，其中所述预先形成的金属硅化物包含选自Ni、Pd或Pt中的至少一者的金属；并且(ii)使所述处理过的金属硅化物与根据式RX的有机卤化物在250‑700℃的温度下反应以形成二有机二卤代硅烷，其中R为C1‑C10烃基并且X为卤素。
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