[发明专利]基于石墨烯和碳纳米管的辐射加固晶体管

摘要

提供一种基于石墨烯和/或碳纳米管的抗辐射晶体管器件及其制造技术。在一个方面中，提供一种制造抗辐射晶体管的方法。该方法包括以下步骤。提供抗辐射衬底。在衬底上形成基于碳的材料，其中基于碳的材料的一部分用作晶体管的沟道区域且基于碳的材料的其他部分用作晶体管的源极和漏极区域。形成到基于碳的材料的用作晶体管的源极和漏极区域的部分的接触。在基于碳的材料的用作晶体管的沟道区域的部分之上沉积栅极电介质。在栅极电介质上形成顶栅极接触。

主权项

一种制造抗辐射晶体管的方法，包括以下步骤：提供抗辐射衬底；在所述衬底上形成基于碳的材料，其中所述基于碳的材料的一部分用作所述晶体管的沟道区域且所述基于碳的材料的其他部分用作所述晶体管的源极和漏极区域；形成到所述基于碳的材料的用作所述晶体管的所述源极和漏极区域的部分的接触；在所述基于碳的材料的用作所述晶体管的所述沟道区域的部分之上沉积栅极电介质；以及在所述栅极电介质上形成顶栅极接触。