[发明专利]Cu-Co-Si-Zr合金材料及其制造方法有效
申请号: | 201280005365.2 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN103298961A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 冈藤康弘 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C22C9/06 | 分类号: | C22C9/06;C22F1/08;H01B1/02;H01B13/00;C22F1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 高旭轶;杨思捷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及Cu-Co-Si-Zr合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的元素比为3.5~5.0,含有3000~500000个/mm2的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,晶体粒径在10μm以下,导电率在60%IACS以上。上述合金材料可通过如下方法制造:在铸造后、固溶处理前进行的高温加热的温度是比下述固溶处理温度高45℃以上的温度,从热轧开始时的温度到600℃的冷却速度在100℃/分钟以下,固溶处理温度在(50×Cowt%+775)℃以上(50×Cowt%+825)℃以下的范围内选择,固溶处理后的时效处理优选为450~650℃下1~20小时。 | ||
搜索关键词: | cu co si zr 合金材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
铜合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其是含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的元素比为3.5~5.0的Cu‑Co‑Si‑Zr合金材料,含有3000~500000个/mm2的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,导电率EC在60%IACS以上,晶体粒径在10μm以下。
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