[发明专利]Cu-Co-Si-Zr合金材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280005365.2 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN103298961A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 冈藤康弘 申请(专利权)人: JX日矿日石金属株式会社
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22F1/08;H01B1/02;H01B13/00;C22F1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 高旭轶;杨思捷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及Cu-Co-Si-Zr合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的元素比为3.5~5.0,含有3000~500000个/mm2的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,晶体粒径在10μm以下,导电率在60%IACS以上。上述合金材料可通过如下方法制造:在铸造后、固溶处理前进行的高温加热的温度是比下述固溶处理温度高45℃以上的温度,从热轧开始时的温度到600℃的冷却速度在100℃/分钟以下,固溶处理温度在(50×Cowt%+775)℃以上(50×Cowt%+825)℃以下的范围内选择,固溶处理后的时效处理优选为450~650℃下1~20小时。
搜索关键词: cu co si zr 合金材料 及其 制造 方法
【主权项】:
铜合金材料,其具有良好的弯曲加工性,其是含有1.0~2.5wt%的Co、0.2~0.7wt%的Si、0.001~0.5wt%的Zr、Co/Si的元素比为3.5~5.0的Cu‑Co‑Si‑Zr合金材料,含有3000~500000个/mm2的直径0.20μm以上且小于1.00μm的第二相粒子,导电率EC在60%IACS以上,晶体粒径在10μm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社,未经JX日矿日石金属株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201280005365.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top