[发明专利]用于用氟化胺氧化物处理硅质碎屑含烃地层的方法有效
申请号: | 201280005440.5 | 申请日: | 2012-01-13 |
公开(公告)号: | CN103328603B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 鲁道夫·J·达姆斯;吴永康;史蒂文·J·马丁;道格拉斯·E·约翰逊 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | C09K8/80 | 分类号: | C09K8/80;C09K8/60;E21B43/26;C07C211/15 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 张爽;郭国清 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种处理硅质碎屑含烃地层的方法。所述方法包括使所述含烃地层与包含溶剂和氟化胺氧化物的组合物接触。本发明还公开了根据所述方法处理的硅质碎屑含烃地层。 | ||
搜索关键词: | 用于 氟化 氧化物 处理 碎屑 地层 方法 | ||
【主权项】:
一种处理硅质碎屑含烃地层的方法,所述方法包括使所述硅质碎屑含烃地层与包含溶剂和氟化胺氧化物的处理组合物接触,其中所述氟化胺氧化物a)由式Rf‑Q‑N(R)2‑O表示,其中Rf独立地为具有最多至10个碳原子的氟烷基或者为多氟聚醚基团;Q为‑SO2–N(R')‑W‑、‑C(O)‑N(R')‑W‑、亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选地被‑O‑、‑S‑、‑SO2‑或‑C(O)‑中断并任选地被羟基取代;R'为氢、芳基或具有最多至六个碳原子的烷基;W为亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选地被‑O‑或‑S‑中断并任选地被羟基取代;并且每个R独立地为氢、烷基或芳基,其中烷基可任选地被‑O‑中断或被羟基或芳基取代,或者两个R基团与它们连接的N原子合在一起能够形成具有最多至六个碳原子并任选地含有‑O‑或‑S‑的杂环;或者b)由下式表示:其中Rf独立地为具有最多至10个碳原子的氟烷基或者为多氟聚醚基团;Q'为–SO2N(‑)(‑)、–(CH2)pCH(O‑)(‑)或–(CH2)p‑CH(O‑)(CH2)pO‑,其中p为1至11的整数;W'为亚烷基、芳基亚烷基或亚芳基,其中亚烷基和芳基亚烷基各自任选地被‑O‑或‑S‑中断并任选地被羟基取代;每个R独立地为氢、烷基或芳基,其中烷基可任选地被‑O‑中断或被羟基或芳基取代,或者两个R基团与它们连接的N原子合在一起能够形成具有最多至六个碳原子并任选地含有‑O‑或‑S‑的杂环;并且每个n独立地为0至11。
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