[发明专利]用于制造透明导电氧化物多层的方法无效
| 申请号： | 201280005735.2 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103430317A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 保罗·洛西奥;奥努尔·恰拉尔;彼得·雷希特施泰纳;珀赖因·卡鲁瓦;霍尔格·克赖斯特 | 申请（专利权）人： | TEL太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;全万志 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及用于光电转换装置的多部件透明导电氧化锌层以及其制造方法。透明导电氧化锌层包括具有不同硼掺杂和浓度的至少一个基本层序列，所述基本层序列包括较薄的透明导电氧化锌较高硼掺杂层(72；74)和较厚的透明导电氧化锌较低硼掺杂层(73；75)。在本发明中，通过每个单独的导电氧化锌层(72，73；74，75)的掺杂密度基本上恒定，这通过有意地掺杂较厚的透明导电氧化锌较低硼掺杂层(73；75)来实现。任选地，在所述至少一个基本层序列与所述基底(71)或n掺杂硅层(46)之间可存在中间层，所述中间层设置在所述基底(71)或n掺杂硅层(46)上。其优点在于允许透明导电氧化锌层的有效的激光边缘隔离EIL烧蚀，同时在所述层中保持良好的电学和光学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 透明 导电 氧化物 多层 方法 | ||
【主权项】：
一种用于光电转换装置的电极(42；47)，其包括至少一个具有变动硼掺杂浓度的基本层序列，所述基本层序列包括较薄的透明导电氧化锌较高硼掺杂层(72；74)和较厚的透明导电氧化锌较低硼掺杂层(73；75)，其特征在于，穿过每个单独导电氧化锌层(72，73；74，75)的所述掺杂密度是基本上恒定的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TEL太阳能公司，未经TEL太阳能公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280005735.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
