[发明专利]电阻变化元件的驱动方法和非易失性存储装置

摘要

一种电阻变化元件的驱动方法，具有初始过程，其在第一次写入过程之前，通过施加第一极性的初始电压脉冲使金属氧化物层的电阻值从初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设初始状态的电阻值为R0，写入状态的电阻值为RL，消去状态的电阻值为RH，其他的电阻值为R2，设初始电压脉冲施加时的电流的最大值为IbRL，设写入电压脉冲施加时的电流的最大值为IRL，设消去电压脉冲施加时的电流的最大值为IRH，满足R0＞RH＞R2≥RL，且满足|IRL|＞|IbRL|。

主权项

一种电阻变化元件的驱动方法，该电阻变化元件包括：第一电极；第二电极；和设置在所述第一电极与所述第二电极之间，响应施加至所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲电阻值发生变化的金属氧化物层，所述电阻变化元件的驱动方法的特征在于：所述金属氧化物层具有与所述第一电极连接的第一氧化物区域，和与所述第二电极连接并且氧含有率比所述第一氧化物区域高的第二氧化物区域，该电阻变化元件的驱动方法包括：写入过程，其通过将第一极性的写入电压脉冲施加至所述第一电极与所述第二电极之间，使所述金属氧化物层的电阻状态从高向低变化而成为写入状态；消去过程，其通过将与所述第一极性不同的第二极性的消去电压脉冲施加至所述第一电极与所述第二电极之间，使所述金属氧化物层的电阻状态从低向高变化而成为消去状态；和初始过程，其在第一次所述写入过程之前，通过将所述第一极性的初始电压脉冲施加至所述第一电极与所述第二电极之间，使所述金属氧化物层的电阻值从所述金属氧化物层的初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设所述金属氧化物层的所述初始状态的电阻值为R0，设所述写入状态的电阻值为RL，设所述消去状态的电阻值为RH，设所述其他的电阻值为R2，设所述初始电压脉冲施加时流过所述金属氧化物层的电流的最大值为IbRL，设所述写入电压脉冲施加时流过所述金属氧化物的电流的最大值为IRL，设所述消去电压脉冲施加时流过所述金属氧化物的电流的最大值为IRH时，满足R0＞RH＞R2≥RL，|IRL|＞|IbRL|。