[发明专利]红外线反射基体无效
| 申请号： | 201280006708.7 | 申请日： | 2012-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103328591A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 宫西恭子;藤田贵史;细见哲也 | 申请（专利权）人： | 长濑化成株式会社 |
| 主分类号： | C09D201/02 | 分类号： | C09D201/02;B32B27/00;C09D5/33;C09D7/12;C09D181/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供通过涂布在基材表面可以简单地制造，示出薄的膜厚以及较高的光线透过性，且示出优异的红外线反射性能的红外线反射基体。红外线反射基体包含对于所述透明基体涂布含有聚（3，4-二取代噻吩）和聚阴离子的复合体的涂布剂而形成的红外线反射层，并且全光纤透过率为60%以上。优选的是所述复合体的导电率为0.15（S/cm）以上，优选的是所述红外线反射层的膜厚为0.50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 反射 基体 | ||
【主权项】：
一种红外线反射膜形成用的涂布剂，含有π共轭体系导电性聚合物。
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