[发明专利]具有完全硅化的鳍片的鳍片FET结构有效
| 申请号： | 201280006806.0 | 申请日： | 2012-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103348481A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | A·布赖恩特;卜惠明;郭德超;W·E·亨施;叶俊呈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 完全 fet 结构 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成多个鳍片，所述鳍片包括半导体材料；在所述多个鳍片中的每一个之上并与其接触地形成栅极电极；在所述栅极电极和所述多个鳍片之上沉积绝缘体层；在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口，所述沟槽开口暴露所述多个鳍片并且在所述多个鳍片之间延伸；通过所述沟槽开口硅化所述多个鳍片；以及用与所述硅化的鳍片接触的金属填充所述沟槽开口以形成连接所述多个鳍片的局部互连。
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