[发明专利]包含陶瓷载体的电子构件以及陶瓷载体的应用无效
| 申请号： | 201280007300.1 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN103329261A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | U.格兰茨;S.亨内克;A.马丁 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/498;C04B35/195 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及电子构件,其用于温度范围≥250℃、特别是≥400℃的高温和包含陶瓷载体（12）和半导体元件（16），其中所述陶瓷载体（12）包含陶瓷基材，该陶瓷基材具有碱金属化合物的含量为≤0.5%、特别是≤0.05%，并且其中所述陶瓷基材选自包含氧化铝、钙长石、热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料和玻璃的陶瓷基材，包含氧化铝、钡长石、热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料和玻璃的陶瓷基材，以及包含二氧化硅含量在＞50mol%范围的碱土金属硅酸盐玻璃、氧化硼以及热膨胀系数≤4.0*10-6K-1的填料的陶瓷基材。这种构件也在高温下阻止依赖于温度的损坏并在直至500℃的温度具有恒定的性能，例如电绝缘性能。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 陶瓷 载体 电子 构件 以及 应用 | ||
【主权项】：
电子构件，用于温度范围≥250℃、特别是≥400℃的高温，包含陶瓷载体（12）和半导体元件（16），其中所述陶瓷载体（12）包含陶瓷基材，该陶瓷基材具有碱金属化合物的含量为≤0.5%、特别是≤0.05%，并且其中所述陶瓷基材选自包含氧化铝、钙长石、热膨胀系数≤4.0*10‑6K‑1的填料和玻璃的陶瓷基材，包含氧化铝、钡长石、热膨胀系数≤4.0*10‑6K‑1的填料和玻璃的陶瓷基材，以及包含二氧化硅含量在＞50mol%范围的碱土金属硅酸盐玻璃、氧化硼以及热膨胀系数≤4.0*10‑6K‑1的填料的陶瓷基材。
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