[发明专利]用于金刚石生长的多层结构以及提供该多层结构的方法无效

专利信息
申请号: 201280007309.2 申请日: 2012-01-31
公开(公告)号: CN103649382A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: 朱和祥;卡尔·皮尔森;金珠露 申请(专利权)人: 东山国际有限公司
主分类号: C30B29/04 分类号: C30B29/04;C09K3/00
代理公司: 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 代理人: 方挺;葛强
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明提供了在反应池中的用于金刚石生长的多层结构。该多层结构包括:金刚石晶种;设于金刚石晶种上的第一金属催化层,该第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于第一金属层之上的第二金属催化层,该第二金属催化层包含高于第一浓度的第二浓度的碳;以及设于第二金属层之上的碳源层。
搜索关键词: 用于 金刚石 生长 多层 结构 以及 提供 方法
【主权项】:
在反应池中的用于金刚石生长的多层结构,包括:金刚石晶种;设于所述金刚石晶种之上的第一金属催化层,所述第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于所述第一金属层之上的第二金属催化层,所述第二金属催化层包含比所述第一浓度高的第二浓度的碳;以及设于所述第二金属层之上的碳源层。
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