[发明专利]用于金刚石生长的多层结构以及提供该多层结构的方法无效
申请号: | 201280007309.2 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN103649382A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
发明(设计)人: | 朱和祥;卡尔·皮尔森;金珠露 | 申请(专利权)人: | 东山国际有限公司 |
主分类号: | C30B29/04 | 分类号: | C30B29/04;C09K3/00 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;葛强 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 本发明提供了在反应池中的用于金刚石生长的多层结构。该多层结构包括:金刚石晶种;设于金刚石晶种上的第一金属催化层,该第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于第一金属层之上的第二金属催化层,该第二金属催化层包含高于第一浓度的第二浓度的碳;以及设于第二金属层之上的碳源层。 | ||
搜索关键词: | 用于 金刚石 生长 多层 结构 以及 提供 方法 | ||
【主权项】:
在反应池中的用于金刚石生长的多层结构,包括:金刚石晶种;设于所述金刚石晶种之上的第一金属催化层,所述第一金属催化层包含第一浓度的碳;设于所述第一金属层之上的第二金属催化层,所述第二金属催化层包含比所述第一浓度高的第二浓度的碳;以及设于所述第二金属层之上的碳源层。
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