[发明专利]陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法有效
| 申请号： | 201280007472.9 | 申请日： | 2012-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103339223A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | U.利波尔德;D.艾泽特 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南;刘春元 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明一种具有活性的陶瓷层（2）的陶瓷变换元件（1），所述陶瓷层（2）适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外，陶瓷变换元件（1）包括载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 变换 元件 具有 半导体 芯片 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
陶瓷变换元件（1），具有：－活性的陶瓷层（2），其适于将第一波长范围的电磁辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的电磁辐射，－载体层（3），其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。
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