[发明专利]粘接物的制造方法、带有粘接剂图案的基板的制造方法及带有粘接剂图案的基板无效
| 申请号： | 201280007691.7 | 申请日： | 2012-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN103380491A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 池田绫;藤井真二郎;增子崇;川守崇司 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J5/00;C09J201/00;H01L23/02;H01L27/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的粘接物的制造方法，其是第一被粘物与第二被粘物借助粘接剂图案被贴合的粘接物的制造方法，该制造方法包括：在第一被粘物上设置粘接剂层的工序；在粘接剂层的同与第一被粘物接触的面相反的一侧的面上设置保护粘接剂层的规定部分免受蚀刻影响的保护层，并在该状态下，通过对粘接剂层进行蚀刻而形成粘接剂图案的工序；以及使第二被粘物贴合于除去保护层后的粘接剂图案的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 接物 制造 方法 带有 粘接剂 图案 | ||
【主权项】：
一种粘接物的制造方法，其是第一被粘物与第二被粘物借助粘接剂图案被贴合的粘接物的制造方法，该制造方法包括：在第一被粘物上设置粘接剂层的工序；在所述粘接剂层的同与所述第一被粘物接触的面相反的一侧的面上设置保护所述粘接剂层的规定部分免受蚀刻影响的保护层，并在该状态下，通过对所述粘接剂层进行蚀刻而形成粘接剂图案的工序；以及使第二被粘物贴合于除去所述保护层后的所述粘接剂图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
