[发明专利]功率半导体模块

摘要

半导体装置（509a、b）包括半导体芯片（504a、b），其包括底部电极和顶部电极以及底部电极基板（502）。底部电极基板（502）导电且导热。半导体装置（509a、b）包括顶部电极基板（508）。该顶部电极基板（508）导电且导热。半导体装置（509a、b）包括第一预型件（506a、b），其由配置用于在熔化时支持形成导电合金的材料制成。为了提供具有增强特性的半导体装置，半导体芯片（504a，b）的底部电极经由第一接合层（618）热且电连接到底部电极基板（502），半导体芯片（504a、b）的顶部电极经由第二接合层（620）热且电连接到第一预型件（506a、b）的第一侧，并且第一预型件（506a、b）的第二侧经由第三接合层（624）热且电连接到顶部电极基板（508）。

主权项

一种功率半导体模块，包括：‑底部电极基板（102，502），其中所述底部电极基板（102，502）导电并且导热，‑顶部电极基板（208，508），其中所述顶部电极基板（208，508）导电并且导热，‑功率半导体芯片（104a‑f，504a、b），‑和第一预型件（106a‑f，506a，506b），其中‑所述功率半导体芯片（104a‑f，504a、b）包括底部电极和顶部电极，‑所述第一预型件（106a‑f，506a、b）由配置用于支持在熔化时形成导电合金的材料制成，所述第一预型件（106a‑f，506a，506b）与所述功率半导体芯片（104a‑f，504a，504b）结合提供所述功率半导体模块的短路失效模式能力，并且其中所述功率半导体芯片（104a‑f，504a、b）的所述底部电极经由第一接合层（618）热且电连接到所述底部电极基板（102，502），并且其中所述功率半导体芯片（104a‑f，504a、b）的所述顶部电极经由第二接合层（620）热且电连接到所述第一预型件（106a‑f，506a、b）的第一侧，其特征在于所述第一预型件（106a‑f，506a、b）的第二侧经由第三接合层（624）热且电连接到所述顶部电极基板（108，508）。