[发明专利]薄膜器件的材料图案化工艺无效
| 申请号： | 201280008219.5 | 申请日： | 2012-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN103348503A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 约翰·德弗兰科;迈克·米勒;福克斯·霍尔特 | 申请（专利权）人： | 正交公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成器件的方法包括提供一个基板；在基板上沉积单个的氟化可光图案化层；在基板上形成第一、第二有源层；应用可光图案化层以便在第一有源层以内形成第一图案，在第二有源层以内形成第二个不同的图案。可以利用本发明公开的具体例子形成薄膜电子器件，包括减少光刻步骤的OLED器件和TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 器件 材料 图案 化工 | ||
【主权项】：
一种形成器件的方法，包括：a.提供一个基板；b.在基板上沉积单个的氟化可光图案化层；c.在基板上形成第一和第二有源层；d.应用可光图案化层以在第一有源层以内形成第一图案，在第二有源层以内形成第二个不同的图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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