[发明专利]二氧化硅膜的制造方法有效
| 申请号： | 201280008537.1 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN103354948B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 长原达郎;林昌伸;铃木胜力 | 申请（专利权）人： | 默克专利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/76;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙)11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可制造低收缩且低应力的绝缘膜的方法。一种二氧化硅膜的制造方法，其特征在于，其包含如下工序在基板表面涂布聚硅氮烷组合物而形成涂膜，接着在过氧化氢气氛下于50～200℃将前述涂膜加热。根据该二氧化硅膜的制造方法，可形成各种绝缘膜等的隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化硅膜的制造方法，其特征在于，其包含如下工序：(A)在基板表面涂布聚硅氮烷组合物而形成涂膜的涂布工序，(B)在过氧化氢气氛下于50～200℃将所述涂膜加热的氧化工序，并且，在所述氧化工序之后，进一步包含在水蒸气气氛下以300～1000℃加热的水蒸气氧化工序。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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