[发明专利]用于形成钝化发射极的银背面电极和背面接触硅太阳能电池的方法无效
| 申请号： | 201280009271.2 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN103503080A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | K·W·杭;G·劳迪辛奥;A·G·普林斯;R·S·沃特 | 申请（专利权）人： | E.I.内穆尔杜邦公司 |
| 主分类号： | H01B1/22 | 分类号： | H01B1/22;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，包括以下步骤：(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片，所述n型发射极在其上具有ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层，所述介电钝化层具有在穿孔的位置处的局部BSF触点，(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接局部BSF触点的银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700-900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 钝化 发射极 背面 电极 接触 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
用于形成PERC硅太阳能电池的导电银背面电极的方法，包括以下步骤：(1)提供在其正面上具有n型发射极的p型硅片，所述n型发射极具有在其上的ARC层和在其背面上的穿孔的介电钝化层，所述介电钝化层在所述穿孔的位置处具有局部BSF触点，(2)施加并干燥银浆以在所述硅片的背面上形成连接所述局部BSF触点的银背面电极图案，以及(3)焙烧所述干燥的银浆，从而使所述晶片达到700‑900℃的峰值温度，其中所述银浆不具有烧透能力或仅具有差的烧透能力，并且包含粒状银和有机载体。
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