[发明专利]用于光电装置的改进的激光划片方法和设备无效
申请号: | 201280009483.0 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN103443908A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 裘安·贾辛;欧文·凯尔;强那森·哈德曼 | 申请(专利权)人: | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L33/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 公开了用于对具有背面涂层的半导体衬底进行激光划片的激光划片系统。具体来说,这些激光划片系统对具有反射性背面涂层的光电半导体晶片进行激光划片,以避免损害光电装置,同时维持高效的制造。更具体来说,这些激光划片系统在多个行程中采用以可见区中的波长以及更低的波长的超快脉冲激光来移除背面涂层并对晶片进行划片。 | ||
搜索关键词: | 用于 光电 装置 改进 激光 划片 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于使用激光划片系统对衬底上的光电装置进行划片的改进的方法,所述衬底具有正面和背面,所述正面具有沟道,所述背面具有带涂层的表面,所述改进包括:提供具有带第一和第二激光脉冲参数的超快脉冲激光器的所述激光划片系统;使用所述超快脉冲激光器和所述第一激光脉冲参数在与所述衬底的所述正面沟道大致对准的区域中从所述衬底的所述背面表面移除所述涂层,而不对所述衬底造成实质损害,以及;使用所述超快脉冲激光器和所述第二激光脉冲参数在与所述衬底的所述正面沟道大致对准的区域中对所述衬底进行划片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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