[发明专利]三维结构的离子辅助等离子处理无效
| 申请号： | 201280009549.6 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103380494A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 路斯·史丁;卢多维克·葛特;派崔克·M·马汀 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 控制等离子与等离子壳层之间的边界，以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 结构 离子 辅助 等离子 处理 | ||
【主权项】：
一种工件处理的方法，包括：产生具有在所述工件表面附近的等离子壳层的等离子，其中所述工件界定出具有多个侧壁的结构;控制在所述等离子与所述等离子壳层之间的边界的形状，以使所述形状的一部分不平行于由面对所述等离子的所述工件的前表面所界定的平面;将在所述等离子中的离子导向所述工件;以及利用所述离子密封孔洞，所述孔洞在所述侧壁其中之一上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280009549.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
