[发明专利]具有极化控制的发光二极管有效
| 申请号： | 201280010124.7 | 申请日： | 2012-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103548156B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种改进的发光异质结构。该异质结构包括有源区，该有源区具有一组势垒层和一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接。量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，其导致量子阱的带结构的改变。该改变可以减小量子阱中的极化效应，这可以提供来自有源区的改进的光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极化 控制 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮基发光异质结构，包括：电子供应层；空穴供应层；以及位于所述电子供应层与所述空穴供应层之间的有源区，所述有源区包括：一组势垒层；以及一组量子阱，每个量子阱与势垒层邻接并且具有位于其中心的δ掺杂的p型子层，其中所述δ掺杂的p型子层使得每个量子阱中电子基态位于由极化效应造成的带弯曲能量范围之上，并且所述δ掺杂的p型子层位于每个量子阱的中心部分。
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