[发明专利]高速高压多路复用器

摘要

本发明提供一种设备，其包括负电压轨；正电压轨；多个多路复用器单元，其中每个多路复用器单元由多个选择信号中的至少一个控制，并且其中当控制信号无效时禁用每个多路复用器单元，并且其中每个多路复用器单元包括输入端子；输出端子；开关网络，其耦合到所述负电压轨；以及升压开关，其耦合到所述输入端子、所述输出端子和所述开关网络；以及升压电路，其耦合到每个所述多路复用器单元的所述输出端子、每个多路复用器单元的所述开关网络以及所述正电压轨，其中所述升压电路由所述控制信号控制。

主权项

一种用于对信号进行多路复用的电路，其包括：负电压轨；正电压轨；多个多路复用器单元，其中每个多路复用器单元由多个选择信号中的至少一个控制，并且其中当控制信号无效时禁用每个多路复用器单元，并且其中每个多路复用器单元包括：输入端子；输出端子；开关网络，其耦合到所述负电压轨；以及升压开关，其耦合到所述输入端子、所述输出端子和所述开关网络；以及升压电路，其耦合到每个所述多路复用器单元的所述输出端子、每个多路复用器单元的所述开关网络以及所述正电压轨，其中所述升压电路由所述控制信号控制，其中所述升压电路进一步包括：第一开关，其耦合到所述正电压轨和每个多路复用器单元的所述开关网络，其中当所述控制信号有效时激活所述第一开关；第二开关，其耦合到接地端和每个多路复用器单元的所述输出端子，其中当所述控制信号有效时激活所述第二开关；以及电容器，其耦合在所述第一开关与所述第二开关之间，以及其中每个升压开关进一步包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管在源极处耦合到所述输入端子，在漏极处耦合到所述输出端子并且在栅极处耦合到所述开关网络，其中每个开关网络进一步包括：第三开关，其耦合到所述NMOS晶体管的所述源极；第四开关，其耦合在所述第三开关与所述输出端子之间；第五开关，其耦合到在所述第三开关与所述第四开关之间的节点，并耦合到接地端；第六开关，其耦合在所述负电压轨与所述NMOS晶体管的所述栅极之间；以及第七开关，其耦合在所述第一开关与所述NMOS晶体管的所述栅极之间。