[发明专利]触点清洁的方法有效
| 申请号： | 201280010294.5 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN103443906A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张梅;灵·坦;郑波;阿尔温德·孙达雷吉恩;约翰·C·福斯特;乌梅斯·M·凯尔克;穆拉利·K·纳拉辛汉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供从表面移除氧化物的方法与设备，该表面包含硅与锗至少其中一种。该方法与设备特别适用于从触点结构的金属硅化物层移除原生氧化物。该方法与设备有利地将蚀刻终止层蚀刻工艺与原生氧化物移除工艺两者整合于单一腔室中，而在基板传输工艺期间消除原生氧化物的生长或其他污染物的再沉积。此外，该方法与设备亦提供改良的三步骤化学反应工艺，以从金属硅化物层有效移除原生氧化物，而不会不利地改变触点结构的几何形状与形成在触点结构中的沟槽或过孔的临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 触点 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种从表面移除氧化物的方法，所述表面设置于基板上，所述方法包含：形成聚合物层于氧化物层上，所述氧化物层形成在表面上，所述表面包含硅或锗至少其中一种；活化所述聚合物层，与所述氧化物层进行反应，以形成气相副产物；以及执行灰化工艺，从所述基板移除所述聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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