[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201280010448.0 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN103477437A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | M·拉希莫;M·贝里尼;M·安登纳;F·鲍尔;I·尼斯托尔 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 易皎鹤;汤春龙 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 提供一绝缘栅双极装置(1)，其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层：第一导电型的源极区(3)，与接触区域(24)中的发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)，第一导电型的增强层(8)，具有补偿层厚度tp(92)的第二导电型的浮动补偿层(9)，具有比增强层(8)低的掺杂浓度的第一导电型的漂移层(5)，和第二导电型的集电极层(6)。补偿层(9)设置在增强层(8)和漂移层(5)之间的接触区域(24)的投影中，从而在增强层(8)和漂移层(5)之间保持沟道。增强层(8)具有增强层厚度tn(82)，其在与补偿层厚度(92)相同的平面内测量，且应用如下规则：Nptp＝kNntn，其中Nn和Np分别是增强层和补偿层的掺杂浓度，以及k是在0.67和1.5之间的因子。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有栅电极的绝缘栅双极装置(1)，所述装置包括有源单元，其在发射极侧(22)上的发射极电极(2)和与所述发射极侧(22)相对的集电极侧(27)上的集电极电极(25)之间具有按如下顺序的不同导电型的层：第一导电型的源极区(3)，与接触区域(24)中的所述发射极电极(2)接触的第二导电型的基极层(4)，具有高掺杂浓度的所述第一导电型的增强层(8)，具有比所述增强层(8)低的掺杂浓度的所述第一导电型的漂移层(5)，所述第二导电型的集电极层(6)，其中所述栅电极设置在所述发射极侧(22)上，并且其中所述增强层(8)将所述基极层(4)与所述漂移层(5)分离，其特征在于所述第二导电型的补偿层(9)设置于所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间，其具有补偿层厚度tp(92)，所述补偿层厚度tp(92)是在垂直于所述发射极侧(22)的平面内所述补偿层(9)的最大厚度，所述补偿层(9)设置在所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间的所述接触区域(24)的投影中，使得在所述增强层(8)和所述漂移层(5)之间保持沟道，所述补偿层(9)没有连接到所述基极层(4)，所述补偿层(9)没有延伸到所述接触区域(24)的投影以外的区域中，所述增强层(8)具有增强层厚度tn(82)，其在与所述补偿层厚度(92)相同的平面内测量，Nptp＝kNntn，其中Nn是所述增强层的掺杂浓度；其中Np是所述补偿层的所述掺杂浓度；以及k是在0.67和1.5之间的因子。
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