[发明专利]双负载闸配置的消除及剥离处理腔室有效
申请号: | 201280010528.6 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103403852A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 马丁·杰夫·萨里纳斯;P·B·路透;阿尼鲁达·帕尔;杰瑞德·阿哈默德·里;I·优素福 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的实施例提供能处理基板的双负载闸室。在一实施例中,双负载闸室包括腔室主体,腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积。下腔室容积和第二腔室容积中的每一个,经由配置以传送基板的两个开口,能选择性连接至两个处理环境。双负载闸室还包括设在第二腔室容积内的加热基板支撑组件。加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板。双负载闸室还包括连接至第二腔室容积的远端等离子体源,用以供应等离子体给第二腔室容积。 | ||
搜索关键词: | 负载 配置 消除 剥离 处理 | ||
【主权项】:
一种负载闸室,包含:腔室主体,所述腔室主体界定互相隔离的第一腔室容积和第二腔室容积,其中所述第一腔室容积经由配置以传送基板的两个开口能选择性连接至两个处理环境,所述第二腔室容积选择性连接至所述两个处理环境的至少一者;加热基板支撑组件,所述加热基板支撑组件设在所述第二腔室容积内,其中所述加热基板支撑组件经配置以支撑及加热放置于上的基板;以及远端等离子体源,所述远端等离子体源连接至所述第二腔室容积,用以供应等离子体给所述第二腔室容积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造