[发明专利]硅纳米管MOSFET

摘要

一种纳米管MOSFET器件及其制作方法用来延伸器件缩减规划而又维持良好短沟道效应并且提供有竞争力的驱动电流。纳米管MOSFET器件包括同心管形内（61）和外栅极（50），被管形成形的外延生长的硅层相互分离；以及源极（35）和漏极（31），分别被包围管形内和外栅极的间隔物（51，41）分离。形成纳米管MOSFET器件的方法包括在衬底上形成圆柱形成形的Si层（30）；形成包围圆柱形Si层（30）并且在底部间隔物（41）与顶部间隔物（51）之间定位的外栅极；在顶部间隔物上生长与圆柱形成形的Si层的部分相邻的硅外延层；蚀刻圆柱形成形的Si的内部分从而形成空心圆柱体；在内圆柱体的底部形成内间隔物；通过填充空心圆柱体的部分来形成内栅极；形成与内栅极相邻的侧壁间隔物；并且蚀刻用于接入和接触外栅极和漏极的深沟槽。

主权项

一种纳米管MOSFET器件，包括：圆柱形的内栅极和管形的外栅极(61，50)，被Si层(30)相互分离，所述外栅极在底部间隔物(41)与顶部间隔物(51)之间定位；源极(35)和漏极(31)，分别被包围所述内栅极和外栅极的顶部间隔物(51)和底部间隔物(41)分离；所述源极是在所述顶部间隔物(51)上形成的与所述Si层(30)的部分相邻的硅外延层；在所述圆柱形的内栅极的底部形成的内间隔物。