[发明专利]晶片结合系统及其结合与剥离的方法

摘要

本发明提供了一种通过形成结合系统来处理半导体晶片表面的方法，以便提高后续加工操作过程中所述晶片的处理。所述方法一般包括如下步骤将剥离层(10)和粘合剂(15)施涂到不同晶片(5,20)上；将所述晶片结合到一起以形成结合晶片系统；进行至少一次晶片加工操作（如晶片磨削等）以形成经过加工的薄晶片；剥离所述晶片；以及随后使用能够溶解所述剥离层或其任何残留物的有机溶剂对所述经过加工的晶片的表面进行清洗。所述粘合剂包含乙烯基官能化聚硅氧烷低聚树脂、Si‑H官能化聚硅氧烷低聚树脂、催化剂以及任选的抑制剂，而所述剥离层由倍半硅氧烷基树脂或热塑性树脂构成。

主权项

一种结合系统，所述结合系统用于暂时性地将载体晶片结合到半导体晶片以有利于晶片加工操作；所述结合系统包括：第一晶片和第二晶片；与所述第一晶片的表面相邻位置处的剥离层；所述剥离层可溶于有机溶剂中；以及与所述第二晶片的表面相邻位置处的粘合剂；所述粘合剂与所述剥离层不混溶；其中所述粘合剂与所述剥离层能够暂时性结合和剥离；其中所述粘合剂包含：乙烯基官能化低聚树脂；所述乙烯基官能化低聚树脂包含根据式E(C1)a(C2)b(C3)cE的三种硅氧烷组分C1、C2和C3中的至少一种，其中E表示封端基团，并且a、b和c表示所述乙烯基官能化低聚树脂中每种组分的摩尔百分比，且a处于0.025至1.0之间的范围内；b处于0.0至0.95之间的范围内；并且c处于0.0至0.60之间的范围内；Si‑H官能化低聚树脂；所述Si‑H官能化低聚树脂由下式限定：其中下标v为0与1之间范围的任何数字，下标u为0与2之间范围的任何数字，并且下标z为0与1之间范围的任何数字；R1为具有1至8个碳原子的且被氟取代或未被氟取代的有机基团；R2、R3、R7、R8、R9和R10为独立地选择为下列中一种的有机基团：氢原子以及具有1至8个碳原子的且被氟取代或未被氟取代的不含乙烯基的有机基团，并且当下标(u+v+z)之和为0时，R8、R9和R10中的至少一者包含氢原子；聚合度p预定为非零整数，其经选择使得所述Si‑H官能化低聚树脂表现出足以在所述粘合剂中发挥功能所需的性质；以及能够促进氢化硅烷化反应的催化剂，所述催化剂选自热活化催化剂和光活化催化剂的组。